نوع محصول
محصولات ارسال فوری 74 محصول یافت شد
این محصولات در انبار موجود هستند و در سریع ترین زمان ارسال خواهند شد.
عنوان / سازنده
ویژگی‌ها
قیمت عملیات
عکس K3530-01 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت K3530-01
سازنده: Unknown
استعلام
عکس BS170 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت BS170 نوع N-Channel پکیج TO-92
سازنده: onsemi
Drain Source Voltage (Vdss) Continuous Drain Current (Id) Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) Power Dissipation (Pd) Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) تایپ
60V
500mA
5Ω@10V,200mA
830mW
3V@1mA
N Channel
استعلام
عکس IRF7317TRPBF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 20 ولت IRF7317TRPBF پکیج 8-SOIC
سازنده: Infineon Technologies
سری ها پکیج پکیج پکیج Drain to Source Voltage (Vdss) دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
HEXFET®
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Reel®
20V
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
استعلام
عکس IRFZ44ESTRLPBF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 60 ولت 48 آمپر IRFZ44ESTRLPBF
سازنده: Infineon Technologies
سری ها پکیج پکیج پکیج Drain to Source Voltage (Vdss) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Vgs (Max) دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
HEXFET®
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Reel®
60 V
10V
±20V
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
D2PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
استعلام
عکس IRLR7833TRPBF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت IRLR7833TRPBF
سازنده: Infineon Technologies
نوع نصب کیس / پکیج تعداد کانال ها شارژ گیت (Qg) اتلاف توان پکیجینگ (بسته بندی) پکیجینگ (بسته بندی) پکیجینگ (بسته بندی) پیکربندی تایپ نوع ترانزیستور زمان نزول زمان برخاستن
SMD/SMT
TO-252-3
1
38 nC
140 W
Cut Tape
Reel®
Reel
Single
HEXFET Power MOSFET
1 N-Channel
15 ns
6.9 ns
استعلام
عکس IRF5210SPbF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت ( IRF5210SPbF ) 100 ولت 38 آمپر
سازنده: Infineon Technologies
سری ها پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
HEXFET®
Tube
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
100 V
38A (Tc)
10V
60mOhm @ 38A, 10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
2780 pF @ 25 V
3.1W (Ta), 170W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
D2PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
استعلام
عکس IRF5210LPbF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت IRF5210LPbF 100 ولت 38 آمپر
سازنده: Infineon Technologies
سری ها پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
HEXFET®
Tube
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
100 V
38A (Tc)
10V
60mOhm @ 38A, 10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
2780 pF @ 25 V
3.1W (Ta), 170W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-262
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
استعلام
عکس IRFR420PBF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت IRFR420PBF 500 ولت 2.4 آمپر
سازنده: Vishay Siliconix
پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Tube
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
500 V
2.4A (Tc)
10V
3Ohm @ 1.4A, 10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
2.5W (Ta), 42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
D-Pak
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
استعلام
عکس SCT3040KL دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت SCT3040KLHRC11 1200 ولت 55 آمپر
سازنده: Rohm Semiconductor
سری ها پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Automotive, AEC-Q101
Tube
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1200 V
55A (Ta)
18V
52mOhm @ 20A, 18V
5.6V @ 10mA
107 nC @ 18 V
+22V, -4V
1337 pF @ 800 V
262W
175°C (TJ)
Through Hole
TO-247N
TO-247-3
استعلام
عکس SCT3080AR دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت SCT3080ARC14 650 ولت 30 آمپر
سازنده: Rohm Semiconductor
پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Tube
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
650 V
30A (Tc)
18V
104mOhm @ 10A, 18V
5.6V @ 5mA
48 nC @ 18 V
+22V, -4V
571 pF @ 500 V
134W
175°C (TJ)
Through Hole
TO-247-4L
TO-247-4
استعلام
عکس SCT3120AL دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت SCT3120ALHRC11 650 ولت 21 آمپر
سازنده: Rohm Semiconductor
سری ها پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Automotive, AEC-Q101
Tube
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
650 V
21A (Tc)
18V
156mOhm @ 6.7A, 18V
5.6V @ 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V, -4V
460 pF @ 500 V
103W
175°C (TJ)
Through Hole
TO-247N
TO-247-3
استعلام
عکس SCT2750NY دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت SCT2750NYTB 1700 ولت 5.9 آمپر
سازنده: Rohm Semiconductor
پکیج پکیج پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Reel®
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1700 V
5.9A (Tc)
18V
975mOhm @ 1.7A, 18V
4V @ 630µA
17 nC @ 18 V
+22V, -6V
275 pF @ 800 V
57W (Tc)
175°C (TJ)
Surface Mount
TO-268
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
استعلام
عکس SCT3030AR دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت SCT3030ARC14 650 ولت 70 آمپر
سازنده: Rohm Semiconductor
پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Tube
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
650 V
70A (Tc)
18V
39mOhm @ 27A, 18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V, -4V
1526 pF @ 500 V
262W
175°C (TJ)
Through Hole
TO-247-4L
TO-247-4
استعلام
عکس DMG3415U-7 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 20 ولت 4 آمپر پکیج DMG3415U-7 - SOT-23-3
سازنده: Diodes Incorporated
Drain Source Voltage (Vdss) Continuous Drain Current (Id) Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) Power Dissipation (Pd) Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) تایپ
20V
4A
39mΩ@4.5V,4A
900mW
1V@250μA
P Channel
استعلام
عکس DMN3404L-7 دیجی قطعه
ترانزیستور DMN3404L-7
سازنده: Diodes Incorporated
Drain Source Voltage (Vdss) Continuous Drain Current (Id) Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) Power Dissipation (Pd) Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) تایپ
30V
5.8A
28mΩ@10V,5.8A
720mW
2V@250μA
N Channel
استعلام
عکس IRF820PBF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت ( IRF820PBF ) 500 ولت 2.5 آمپر
سازنده: Vishay Siliconix
پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Tube
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
500 V
2.5A (Tc)
10V
3Ohm @ 1.5A, 10V
4V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220AB
TO-220-3
استعلام
عکس IRF9640SPBF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت IRF9640SPBF 200 ولت 11 آمپر
سازنده: Vishay Siliconix
پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Tube
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
200 V
11A (Tc)
10V
500mOhm @ 6.6A, 10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
3W (Ta), 125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
D²PAK (TO-263)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
استعلام
عکس IPW65R041CFD دیجی قطعه
ترانزیستور IPW65R041CFD
سازنده: Infineon Technologies
درج نصب کیس / پکیج نوع ترانزیستور تعداد کانال ها حداقل دمای عملیاتی حداکثر دمای عملیاتی پکیجینگ (بسته بندی) پیکربندی زمان نزول ارتفاع طول نوع محصول زمان برخاستن سری ها طول وزن
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
- 55 C
+ 150 C
Tube
Single
8 ns
21.1 mm
16.13 mm
MOSFET
28 ns
CoolMOS CFD2
5.21 mm
0.211644 oz
استعلام
عکس IRF9520PBF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت IRF9520PBF 100 ولت 6.8 آمپر
سازنده: Vishay Siliconix
پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Tube
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
100 V
6.8A (Tc)
10V
600mOhm @ 4.1A, 10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 25 V
60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-220AB
TO-220-3
استعلام
عکس SPA20N60C3 دیجی قطعه
ترانزیستور SPA20N60C3
سازنده: Infineon Technologies
Drain Source Voltage (Vdss) Continuous Drain Current (Id) Power Dissipation (Pd) Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) تایپ
650V
20.7A
34.5W
190mΩ@10V,13.1A
3.9V@1mA
N Channel
استعلام
عکس TP0610K-T1-GE3 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت TP0610K-T1-GE3 60 ولت 185 میلی آمپر
سازنده: Vishay Siliconix
سری ها پکیج پکیج پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Reel®
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
185mA (Ta)
4.5V, 10V
6Ohm @ 500mA, 10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
استعلام
عکس FQPF20N06 دیجی قطعه
ترانزیستور FQPF20N06
سازنده: onsemi
Drain Source Voltage (Vdss) Continuous Drain Current (Id) Power Dissipation (Pd) Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) تایپ
60V
15A
30W
60mΩ@10V,7.5A
4V@250μA
N Channel
استعلام
عکس SIA433EDJ-T1-GE3 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت SIA433EDJ-T1-GE3 20 ولت 12 آمپر
سازنده: Vishay Siliconix
سری ها پکیج پکیج پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Reel®
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
20 V
12A (Tc)
1.8V, 4.5V
18mOhm @ 7.6A, 4.5V
1.2V @ 250µA
75 nC @ 8 V
±12V
3.5W (Ta), 19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
استعلام
عکس STP20NM60FP دیجی قطعه
ترانزیستور STP20NM60FP
سازنده: STMicroelectronics
Drain Source Voltage (Vdss) Continuous Drain Current (Id) Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) Power Dissipation (Pd) Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) تایپ Input Capacitance (Ciss@Vds) Total Gate Charge (Qg@Vgs) دمای کارکرد
600V
20A
250mΩ@10V,10A
45W
4V@250uA
35pF@25V
N Channel
1.5nF@25V
39nC@10V
+150℃@(Tj)
استعلام
عکس SI2343CDS-T1-GE3 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت SI2343CDS-T1-GE3 30 ولت 5.9 آمپر
سازنده: Vishay Siliconix
سری ها پکیج پکیج پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Reel®
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
5.9A (Tc)
4.5V, 10V
45mOhm @ 4.2A, 10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 15 V
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
استعلام
عکس SI1401EDH-T1-GE3 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت SI1401EDH-T1-GE3 12 ولت 4 آمپر
سازنده: Vishay Siliconix
سری ها پکیج پکیج پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Reel®
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
12 V
4A (Tc)
1.5V, 4.5V
34mOhm @ 5.5A, 4.5V
1V @ 250µA
36 nC @ 8 V
±10V
1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SC-70-6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
استعلام
عکس 2N7002E-T1-E3 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 2N7002E-T1-E3 60 ولت 240 میلی آمپر
سازنده: Vishay Siliconix
پکیج پکیج پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Reel®
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
60 V
240mA (Ta)
4.5V, 10V
3Ohm @ 250mA, 10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
21 pF @ 5 V
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
استعلام
عکس MTD20N03HDLT4G دیجی قطعه
ترانزیستور MTD20N03HDLT4
سازنده: VBsemi Elec
Drain Source Voltage (Vdss) Continuous Drain Current (Id) Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) Power Dissipation (Pd) Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) تایپ Input Capacitance (Ciss@Vds) Total Gate Charge (Qg@Vgs) دمای کارکرد
30V
50A
7mΩ@10V,21.8A
100W
2V@250uA
370pF@15V
N Channel
2.201nF@15V
25nC@4.5V
-55℃~+175℃@(Tj)
استعلام
عکس PMV48XP,215 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت PMV48XP,215 20 ولت 3.5 آمپر
سازنده: Nexperia
پکیج پکیج پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Reel®
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
20 V
3.5A (Ta)
2.5V, 4.5V
55mOhm @ 2.4A, 4.5V
1.25V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
1000 pF @ 10 V
510mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
استعلام
عکس SUD50P10-43L-E3 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت SUD50P10-43L-E3 100 ولت 37.1 آمپر
سازنده: Vishay Siliconix
سری ها پکیج پکیج پکیج نوع FET تکنولوژی Drain to Source Voltage (Vdss) جریان تخلیه مداوم (ID) ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On) Rds On Max Vgs(th) (Max) شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds حداکثر اتلاف توان دمای کارکرد نوع نصب بسته دستگاه تأمین کننده کیس / پکیج
TrenchFET®
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Reel®
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
100 V
37.1A (Tc)
4.5V, 10V
43mOhm @ 9.2A, 10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
8.3W (Ta), 136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-252AA
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
استعلام

در بیشتر لوازم الکترونیکی که هر روز استفاده می‌کنیم، از ترانزیستور استفاده شده است.
ترانزیستورها به دو دسته کلی ترانزیستور اثر میدانی و ترانزیستور اتصال دو قطبی تقسیم شده و بر اساس نوع‌شان وظیفه کنترل جریان و کنترل ولتاژ را بر عهده دارند. ترانزیستور ماسفت در گروه ترانزیستورهای اثر میدانی قرار می‌گیرد و عهده‌دار کنترل ولتاژ است.

خرید ترانزیستور ماسفت رو بردی

ترانزیستور اثر میدان (FET) با سه‌ پایه به گِیت (Gate)، دِرِین (Drain) و سورس   (Source)در نظر گرفته می‌شود و کنترل جریان عبوری از ترانزیستور با ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا و اعمال ولتاژ انجام می‌شود. در ماسفت گیت ترانزیستور به وسیله یک لایه اکسید سیلیسیم (SiO2) مجزا از کانال شده است.

با توجه به اینکه سوئیچینگ و تقویت سیگنال از کاربردهای اصلی ترانزیستورهاست و ترانزیستور ماسفت MOSFET هم مانند یک سوئیچ عمل کرده و اتصال را با یک مدار الکترونیکی ایجاد یا قطع کند. ترانزیستورهای دو قطبی در برخی نواحی هر دو کاربرد سوئیچینگ و تقویت سیگنال را دارند؛ در صورت بررسی اهداف پروژه و ویژگی‌های کاربردهای ترانزیستورها، خرید ترانزیستور bjt هم که همچون ماسفت شبیه یک سوئیچ عمل می‌کند، می‌تواند به عنوان یک جایگزین باشد.

ماسفت ها مشابه کلید روی دیوار هستند، اما به جای استفاده از ابزار مکانیکی برای روشن کردن آن، ماسفت با سیگنال الکتریکی روشن می‌شود.

در ماسفت، به دلیل این‌که پایه کنترلی جریانی مصرف نمی‌کند، جریان عبوری از ترانزیستور با ایجاد میدان درون نیمه رسانا و اعمال ولتاژ کنترل می‌شود. ورودی این مدار امپدانس بالایی دارد و اثر بارگذاری روی طبقات قبلی نخواهد گذاشت. بسته به نوع کانالی که در ترانزیستور شکل می‌گیرد، ماسفت ها را N-MOS یا P-MOS نام گذاری می‌کنند.

خرید ماسفت MOSFET SMD از دیجی قطعه

ترانزیستور ماسفت یا توجه به ویژگی های مختلفی که دارد، کاربردهای مختلفی از کنترل چراغ‌های کوچک و LED گرفته تا موتورهای صنعتی بزرگ دارد. در نظر گرفتن هر کدام از این ویژگی ها در زمان انتخاب این قطعه برای پروژه، روی قیمت ماسفت تاثیر می‌گذارد.

نوع کانال

نوع کانال به ساخت سیلیکون داخل دستگاه اشاره دارد. ترانزیستور ماسفت کانال N با یک ولتاژ مثبت روی دروازه نسبت به منبع روشن می‌شود؛ در حالی که ماسفت کانال P با ولتاژ منفی روی دروازه نسبت به منبع روشن می‌شود. بسته به جایی که دستگاه در مدار مورد استفاده قرار می‌‍گیرد و این‌که چه ولتاژی به گیت اعمال می‌شود، می‌تواند تصمیم بگیرد از کدام قسمت استفاده شود. برای ثبت سفارش خرید Bs170 به عنوان معروف ترین ماسفت کانال N و خرید IRF9540 به عنوان معروف ترین ماسفت کانال P می‌توانید از قسمت فروشگاه اقدام کنید.

حداکثر ولتاژ تخلیه به منبع

برای توانایی مسدود کردن ولتاژ اعمال شده به قطعات در زمانی که خاموش هستند، یک امتیاز در نظر گرفته می‌شود که به آن ولتاژ تخلیه به منبع گفته می‌شود. هرچه این مقدار بیشتر باشد، بهتر است. برای خرید ترانزیستور ماسفت بهتر است به این نکته توجه کنید که درجه ولتاژ قطعه مورد نظرتان دو برابر ولتاژ مورد انتظار اعمال شده به تخلیه باشد؛ به این دلیل که در سیستم‌های الکتریکی که ماسفت‌ سوئیچینگ به کار رفته، افزایش ولتاژ کوتاه بسیار بالاتر از ولتاژ ورودی است.

مقاومت تخلیه به منبع

این فاکتور مشخص می‌کند که در زمان هدایت دستگاه، چه مقدار گرما تولید می‌شود. در یک گیت معین، Rdson در دیتاشیت به دما و ولتاژ منبع مشخص شده است؛ بنابراین باید این مسئله را در نظر داشته باشید که تفاوت در ولتاژ یا دما می‌تواند باعث شود مقادیر Rdson متفاوت شود.

حداکثر جریان تخلیه DC

این پارامتر مشخص کننده بیشترین میزان جریانی که یک دستگاه می‌تواند به صورت نامحدود با خنک سازی‌های کافی تحمل کند. البته این مقادیر نمی‌توانند تضمینی برای درست کار کردن دستگاه باشد و فقط دستگاه بتواند، میزان کمی از کسری جریان را قبل از خرابی انجام دهد و این به Vds بسته دارد. برای اطمینان از این‌که دستگاه تا چه میزان از جریان را می‌تواند تحمل کند، می‌توان نمودار ناحیه عملیاتی ایمن را در کاتالوگ اطلاعات دستگاه بررسی کنید.

آستانه ولتاژ گیت

ولتاژی که دستگاه با آن شروع به هدایت می‌کند؛ آستانه ولتاژ گیت است. هدایت کامل در ولتاژ گیت بالاتر اتفاق می‌افتد. برای داشتن تصویری دقیق‌تر از جایی که دستگاه در آن ایده‌آل کار می‌کند، می‌توانید ولتاژی که Rdson در آن مشخص شده را بررسی کنید. این فاکتور بسته به این‌که چه ولتاژی از درایور MCU یا گیت در دسترس است، مورد اهمیت است.

شارژ گیت

به مقدار شارژی که می‌بایست به گیت وارد شود تا دستگاه به صورت کامل روشن شود، شارژ گیت گفته می‌شود. به دلیل این‌که میزان تلفات سوئیچینگ که قطعه با آن روبرو می‌شود با فرکانس بالا همبستگی مستقیم دارد، اهمیت این فاکتور در طرح‌هایی مشخص می‌شود که از فرکانس سوئیچینگ بالا استفاده می‌شود. هرچقدر در یک ماسفت مقدار Qg کم‌تر باشد، یک برنامه سوئیچینگ فرکانس بالا کارآمدتر خواهد بود.

بسته/کیس

انتخاب ترانزیستور ماسفت باید بر اساس الزامات مکانیکی و حرارتی طراحی انجام شود. بسته به چیدمان فیزیکی یا فضای تخته موجود، انتخاب بسته‌هایی خاص بهتر هستند. نوع پکیج روی میزان مقاومت حرارتی سیلیکون ماسفت تا مقاومت حرارتی از محل اتصال به کیس که هیت سینک در آن نصب می‌شود، تأثیر می‌گذارد. این مورد یک پارامتر حیاتی برای عملکرد حرارتی در طراحی‌های اتلاف توان بالا یا جریان بالا است.

قیمت ماسفت اس ام دی چقدر است؟

طراحی نهایی است که مشخص می‌کند با توجه به نیاز پروژه، کدام یک از پارامترهای مذکور برای رسیدن به عملکرد مورد نظر مهم‌تر هستند. بهتر است این موضوع را هم در نظر داشته باشید که ممکن است یک بخش برای یک پارامتر عملکردی عالی را ارائه دهد، ولی عملکرد بخش دیگری را کاهش دهد. قیمت ماسفت بر اساس ویژگی‌های این ترانزیستور و میزان آن‌ها می‌تواند متغیر باشد.

  • نوع کانال (N کانال یا P کانال)
  • حداکثر تخلیه به منبع ولتاژ  (Vdss)
  • مقاومت تخلیه به منبع  (Rdson)
  • حداکثر جریان تخلیه  DC
  • آستانه ولتاژ گیت  (Vth)
  • شارژ دروازه  (Qg)
  • بسته/کیس

خرید ماسفت smd از سایت فروش قطعات الکترونیکی

با توجه به کاربرد زیادی که ترانزیستورها در صنعت دارند، خرید تامین قطعات مورد نیاز دستگاه‌ها و پروژه‌ها، زیاد انجام می‌شود. برای برطرف کردن مشکلات احتمالی ناشی از تداخل عملکرد ویژگی‌های ترانزیستور، بهتر است فهرستی از اولویت‌ها تهیه کرده  و از آن برای محدود کردن قسمت‌های مناسب، استفاده کنید؛ به عنوان مثال در یک پروژه ممکن است نیاز باشد ترانزیستور igbt خرید ؛ در حالی که در پروژه‌ای دیگر خرید ترانزیستور jfet  نتیجه بهتری بدهد.

اگر برای خرید ماسفت نیاز به دریافت مشاوره دارید، می‌توانید از کارشناسان ما در دیجی قطعه مشاوره تخصصی دریافت کنید. در صورتی قطعه موردنظر خود را در فروشگاه پیدا نکردید، می‌توانید مشخصات محصول را در سفارش خود ثبت کنید؛ قطعات مورد نظر  در اسرع وقت تامین شده و ارسال می‌گردد.

گوشی رو بردار!

کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن با شما تماس خواهند گرفت و آماده پاسخگویی به سوالات شما می‌باشند.

تلفن پشتیبانی: ۵۸۱۴۹۹۹۹ ۰۲۱

پشتیبانی 24 ساعته دیجی قطعه