۲۸۴۲۲۱۱۰ ۰۲۱

خرید ماسفت

نوع محصول
محصولات ارسال فوری 51 محصول یافت شد
فیلتر محصول
عکس 2N7002E,215 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 60 ولت 300 میلی آمپر 2N7002E,215
سازنده: Nexperia USA Inc.
استعلام
    • Series TrenchMOS™
    • Case/Package TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Package Tape & Reel (TR)
    • Package Cut Tape (CT)
    • FET Type N-Channel
    • تکنولوژی MOSFET (Metal Oxide)
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
    • Continuous Drain Current (ID) 385mA (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    • Rds On Max 3Ohm @ 500mA, 10V
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.69 nC @ 10 V
    • Vgs (Max) ±30V
    • Vgs(th) (Max) 2.5V @ 250µA
    • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 50 pF @ 10 V
    • Max Power Dissipation 830mW (Ta)
    • دمای کارکرد -55°C ~ 150°C (TJ)
    • نوع نصب Surface Mount
    • بسته دستگاه تأمین کننده TO-236AB
    • Package Reel®
عکس IRFI4019HG-117P دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 150 ولت 8.7 آمپر IRFI4019HG-117P
سازنده: Infineon Technologies
استعلام
    • Package Tube
    • Case/Package TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
    • FET Type 2 N-Channel (Dual)
    • ویژگی FET Standard
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
    • Continuous Drain Current (ID) 8.7A
    • Rds On Max 95mOhm @ 5.2A, 10V
    • Vgs(th) (Max) 4.9V @ 50µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
    • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 810pF @ 25V
    • توان - حداکثر 18W
    • دمای کارکرد -55°C ~ 150°C (TJ)
    • نوع نصب Through Hole
    • بسته دستگاه تأمین کننده TO-220-5 Full-Pak
عکس AON7410 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 30 ولت 9.5 آمپر AON7410
سازنده: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
استعلام
    • Package Tape & Reel (TR)
    • Package Cut Tape (CT)
    • Case/Package 8-PowerVDFN
    • Package Reel®
    • FET Type N-Channel
    • تکنولوژی MOSFET (Metal Oxide)
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
    • Continuous Drain Current (ID) 9.5A (Ta), 24A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    • Rds On Max 20mOhm @ 8A, 10V
    • Vgs(th) (Max) 2.5V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
    • Vgs (Max) ±20V
    • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 660 pF @ 15 V
    • Max Power Dissipation 3.1W (Ta), 20W (Tc)
    • دمای کارکرد -55°C ~ 150°C (TJ)
    • نوع نصب Surface Mount
    • بسته دستگاه تأمین کننده 8-DFN (3x3)
عکس SI2371EDS-T1-GE3 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 30 ولت 4.8 آمپر SI2371EDS-T1-GE3
سازنده: Vishay Siliconix
استعلام
    • Series TrenchFET®
    • Case/Package TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Package Tape & Reel (TR)
    • Package Cut Tape (CT)
    • Package Reel®
    • FET Type P-Channel
    • تکنولوژی MOSFET (Metal Oxide)
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
    • Continuous Drain Current (ID) 4.8A (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
    • Rds On Max 45mOhm @ 3.7A, 10V
    • Vgs(th) (Max) 1.5V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
    • Vgs (Max) ±12V
    • Max Power Dissipation 1W (Ta), 1.7W (Tc)
    • دمای کارکرد -55°C ~ 150°C (TJ)
    • نوع نصب Surface Mount
    • بسته دستگاه تأمین کننده SOT-23
عکس NTGS4111PT1G دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 30 ولت 2.6 آمپر NTGS4111PT1G
سازنده: onsemi
استعلام
    • Package Tape & Reel (TR)
    • Package Cut Tape (CT)
    • Package Reel®
    • Case/Package SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • FET Type P-Channel
    • تکنولوژی MOSFET (Metal Oxide)
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
    • Continuous Drain Current (ID) 2.6A (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
    • Rds On Max 60mOhm @ 3.7A, 10V
    • Vgs(th) (Max) 3V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
    • Vgs (Max) ±20V
    • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 750 pF @ 15 V
    • Max Power Dissipation 630mW (Ta)
    • دمای کارکرد -55°C ~ 150°C (TJ)
    • نوع نصب Surface Mount
    • بسته دستگاه تأمین کننده 6-TSOP
عکس DMC3032LSD-13 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت DMC3032LSD-13 30 ولت
سازنده: Diodes Incorporated
استعلام
    • Package Tape & Reel (TR)
    • Package Cut Tape (CT)
    • Package Reel®
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
    • Input Capacitance 404.5pF @ 15V
    • FET Type N and P-Channel
    • ویژگی FET Logic Level Gate
    • Continuous Drain Current (ID) 8.1A, 7A
    • Rds On Max 32mOhm @ 7A, 10V
    • Vgs(th) (Max) 2.1V @ 250µA
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V
    • توان - حداکثر 2.5W
    • دمای کارکرد -55°C ~ 150°C (TJ)
    • نوع نصب Surface Mount
    • Case/Package 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • بسته دستگاه تأمین کننده 8-SO
عکس FDI025N06 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 60 ولت 265 آمپر FDI025N06
سازنده: ON Semiconductor
استعلام
    • Series PowerTrench®
    • Package Tube
    • تکنولوژی MOSFET (Metal Oxide)
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    • Vgs (Max) ±20V
    • Max Power Dissipation 395W (Tc)
    • دمای کارکرد -55°C ~ 175°C (TJ)
    • نوع نصب Through Hole
    • بسته دستگاه تأمین کننده I2PAK (TO-262)
    • Case/Package TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
عکس AON7200 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 30 ولت AON7200
سازنده: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
استعلام
    • Series -
    • Package Tape & Reel (TR)
    • Package Cut Tape (CT)
    • Package Reel®
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
عکس IRF7317TRPBF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 20 ولت IRF7317TRPBF پکیج 8-SOIC
سازنده: Infineon Technologies
استعلام
    • Series HEXFET®
    • Package Tape & Reel (TR)
    • Package Cut Tape (CT)
    • Package Reel®
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
    • دمای کارکرد -55°C ~ 150°C (TJ)
    • نوع نصب Surface Mount
    • بسته دستگاه تأمین کننده 8-SO
    • Case/Package 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
عکس IRFZ44ESTRLPBF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 60 ولت 48 آمپر IRFZ44ESTRLPBF
سازنده: Infineon Technologies
استعلام
    • Series HEXFET®
    • Package Tape & Reel (TR)
    • Package Cut Tape (CT)
    • Package Reel®
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    • Vgs (Max) ±20V
    • دمای کارکرد -55°C ~ 175°C (TJ)
    • نوع نصب Surface Mount
    • بسته دستگاه تأمین کننده D2PAK
    • Case/Package TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
عکس IRLR7833TRPBF دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 30 ولت 140 آمپر IRLR7833TRPBF
سازنده: Infineon Technologies
استعلام
    • نوع نصب SMD/SMT
    • Case/Package TO-252-3
    • Number of Channels 1
    • Gate Charge (Qg) 38 nC
    • اتلاف توان 140 W
    • پکیجینگ (بسته بندی) Cut Tape
    • پکیجینگ (بسته بندی) Reel®
    • پکیجینگ (بسته بندی) Reel
    • پیکربندی Single
    • نوع HEXFET Power MOSFET
    • نوع ترانزیستور 1 N-Channel
    • Fall Time 15 ns
    • Rise Time 6.9 ns
عکس IRF7106 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت IRF7106 پکیج 8-SOIC
سازنده: Infineon Technologies
استعلام
    • Series HEXFET®
    • Package Tube
    • FET Type N and P-Channel
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
    • نوع نصب Surface Mount
    • بسته دستگاه تأمین کننده 8-SOIC
    • Case/Package 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
عکس STF7N95K3 دیجی قطعه
ترانزیستور ماسفت 950 ولت 7.2 آمپر STF7N95K3
سازنده: STMicroelectronics
استعلام
    • Series SuperMESH3™
    • Package Tube
    • Drain to Source Voltage (Vdss) 950 V
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    • Vgs (Max) ±30V
    • Max Power Dissipation 35W (Tc)
    • دمای کارکرد -55°C ~ 150°C (TJ)
    • نوع نصب Through Hole
    • بسته دستگاه تأمین کننده TO-220FP
    • Case/Package TO-220-3 Full Pack
عکس SPF-3143 دیجی قطعه
آی سی ترانزیستور SPF-3143 پکیج SOT-343
سازنده: RFMD
استعلام
    عکس DMP2003UPS-13 دیجی قطعه
    ترانزیستور ماسفت DMP2003UPS-13 SMD 1.4 وات
    سازنده: Diodes Incorporated
    استعلام
      • Series -
      • Package Tape & Reel (TR)
      • Package Cut Tape (CT)
      • Package Reel®
      • Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
      • تکنولوژی MOSFET (Metal Oxide)
      • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
      • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 177 nC @ 10 V
      • Vgs (Max) ±12V
      • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 8352 pF @ 10 V
      • دمای کارکرد -55°C ~ 150°C (TJ)
      • نوع نصب Surface Mount
      • بسته دستگاه تأمین کننده PowerDI5060-8
      • Case/Package 8-PowerTDFN
    عکس IRF1405PBF دیجی قطعه
    ترانزیستور ماسفت IRF1405PBF پکیج TO-220-3
    سازنده: Infineon Technologies
    استعلام
      • Series HEXFET®
      • Package Tube
      • تکنولوژی MOSFET (Metal Oxide)
      • Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
      • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
      • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V
      • Vgs (Max) ±20V
      • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 5480 pF @ 25 V
      • دمای کارکرد -55°C ~ 175°C (TJ)
      • نوع نصب Through Hole
      • بسته دستگاه تأمین کننده TO-220AB
      • Case/Package TO-220-3
    عکس IRFZ44ESTRL دیجی قطعه
    ترانزیستور ماسفت FZ44ES SMD 60 ولت 48 آمپر
    سازنده: Infineon Technologies
    استعلام
      • Series HEXFET®
      • Package Tape & Reel (TR)
      • FET Type N-Channel
      • تکنولوژی MOSFET (Metal Oxide)
      • Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
      • Continuous Drain Current (ID) 48A (Tc)
      • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
      • Rds On Max 23mOhm @ 29A, 10V
      • Vgs(th) (Max) 4V @ 250µA
      • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
      • Vgs (Max) ±20V
      • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1360 pF @ 25 V
      • Max Power Dissipation 110W (Tc)
      • دمای کارکرد -55°C ~ 175°C (TJ)
      • نوع نصب Surface Mount
      • بسته دستگاه تأمین کننده D2PAK
      • Case/Package TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    عکس NDS332P دیجی قطعه
    ترانزیستور ماسفت NDS332P SMD 20 ولت 1 آمپر
    سازنده: onsemi
    استعلام
      • Package Tape & Reel (TR)
      • Package Cut Tape (CT)
      • Package Reel®
      • FET Type P-Channel
      • تکنولوژی MOSFET (Metal Oxide)
      • Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
      • Continuous Drain Current (ID) 1A (Ta)
      • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
      • Rds On Max 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
      • Vgs(th) (Max) 1V @ 250µA
      • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V
      • Vgs (Max) ±8V
      • ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 195 pF @ 10 V
      • Max Power Dissipation 500mW (Ta)
      • دمای کارکرد -55°C ~ 150°C (TJ)
      • نوع نصب Surface Mount
      • بسته دستگاه تأمین کننده SOT-23-3
      • Case/Package TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    در بیشتر لوازم الکترونیکی که هر روز استفاده می‌کنیم، از ترانزیستور استفاده شده است.
    ترانزیستورها دو دسته کلی ترانزیستور اثر میدانی و ترانزیستور اتصال دو قطبی دارند که MOSFET در گروه ترانزیستور های اثر میدانی قرار می‌گیرد. این قطعات بر اساس نوع‌شان وظیفه کنترل جریان و کنترل ولتاژ را دارند که ماسفت‌ها عهده‌دار کنترل ولتاژ هستند.

    ترانزیستور ماسفت

    ترانزیستور اثر میدان (FET) با سه‌ پایه به گِیت (Gate)، دِرِین (Drain) و سورس  (Source)در نظر گرفته می‌شود و کنترل جریان عبوری از ترانزیستور با ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا و اعمال ولتاژ انجام می‌شود. در ماسفت گیت ترانزیستور به وسیله یک لایه اکسید سیلیسیم (SiO2) مجزا از کانال شده است.

    سوئیچینگ و تقویت کانال، از کاربردهای اصلی ترانزیستورهاست، ترانزیستور MOSFET هم مانند یک سوئیچ عمل می‌کند و اتصال را با یک مدار الکترونیکی ایجاد یا قطع کند. ماسفت ها مشابه کلید روی دیوار هستند، اما به جای استفاده از ابزار مکانیکی برای روشن کردن آن، ترانزیستور ماسفت با سیگنال الکتریکی روشن می‌شود.

    در ترانزیستور ماسفت، به دلیل این‌که پایه کنترلی جریانی مصرف نمی‌کند، جریان عبوری از ترانزیستور با ایجاد میدان درون نیمه رسانا و اعمال ولتاژ کنترل می‌شود. ورودی این مدار امپدانس بالایی دارد و اثر بارگذاری روی طبقات قبلی نخواهد گذاشت. بسته به نوع کانالی که در ترانزیستور شکل می‌گیرد، ماسفت ها رو N-MOS یا P-MOS نام گذاری می‌کنند.

    راهنمای خرید و انتخاب ماسفت MOSFET

    ترانزیستور ماسفت کاربردهای مختلفی از کنترل چراغ‌های کوچک و LED گرفته تا موتورهای صنعتی بزرگ دارد. در انتخاب یک ماسفت مناسب برای یک طراحی به پارامترهای مختلفی باید توجه کنید که برخی از مهم‌ترین آن‌ها به شرح زیر هستند:

    نوع کانال (N کانال یا P Channel)
    حداکثر تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss)
    مقاومت تخلیه به منبع (Rdson)
    حداکثر جریان تخلیه DC
    آستانه ولتاژ گیت (Vth)
    شارژ دروازه (Qg)
    بسته/کیس

    نوع کانال

    نوع کانال به ساخت سیلیکون داخل دستگاه اشاره دارد. ترانزیستور ماسفت کانال N با یک ولتاژ مثبت روی دروازه نسبت به منبع روشن می‌شود؛ در حالی که ماسفت کانال P با ولتاژ منفی روی دروازه نسبت به منبع روشن می‌شود. بسته به جایی که دستگاه در مدار مورد استفاده قرار می‌‍گیرد و این‌که چه ولتاژی به گیت اعمال می‌شود، می‌تواند تصمیم بگیرد از کدام قسمت استفاده شود.

    حداکثر ولتاژ تخلیه به منبع

    برای توانایی مسدود کردن ولتاژ اعمال شده به قطعات در زمانی که خاموش هستند، یک امتیاز در نظر گرفته می‌شود که به آن ولتاژ تخلیه به منبع گفته می‌شود؛ که هرچه این مقدار بیشتر باشد، بهتر است. برای خرید ترانزیستور ماسفت بهتر است به نکته توجه کنید که درجه ولتاژ قطعه مورد نظرتان دو برابر ولتاژ مورد انتظار اعمال شده به تخلیه باشد؛ به این دلیل که در سیستم‌های الکتریکی که ماسفت‌ سوئیچینگ به کار رفته، افزایش ولتاژ کوتاه بسیار بالاتر از ولتاژ ورودی است.

    مقاومت تخلیه به منبع

    این فاکتور مشخص می‌کند که چه مقدار گرما در زمان هدایت دستگاه تولید می‌شود. در یک گیت معین، Rdson در دیتاشیت به دما و ولتاژ منبع مشخص شده است؛ بنابراین باید این مسئله را در نظر داشته باشید که تفاوت در ولتاژ یا دما می‌تواند باعث شود مقادیر Rdson متفاوت شود.

    حداکثر جریان تخلیه DC

    این پارامتر بیشترین میزان جریانی که یک دستگاه با خنک‌سازی‌های کافی به صورت نامحدود می‌تواند تحمل کند را مشخص می‌کند. البته این مقادیر نمی‌تواند تضمینی برای درست کار کردن دستگاه باشد و فقط دستگاه بتواند، میزان کمی از کسری جریان را قبل از خرابی انجام دهد و این به Vds بسته دارد. برای اطمینان از این‌که دستگاه تا چه میزان از جریان را می‌تواند تحمل کند، می‌توان نمودار ناحیه عملیاتی ایمن را در کاتالوگ اطلاعات دستگاه بررسی کنید.

    آستانه ولتاژ گیت
    ولتاژی که دستگاه با آن شروع به هدایت می‌کند؛ آستانه ولتاژ گیت است. هدایت کامل در ولتاژ گیت بالاتر اتفاق می‌افتد. برای داشتن تصویری دقیق‌تر از جایی که دستگاه در آن ایده‌آل کار می‌کند، می‌توانید ولتاژی که Rdson در آن مشخص شده را بررسی کنید. این فاکتور بسته به این‌که چه ولتاژی از درایور MCU یا گیت در دسترس است، مورد اهمیت است.

    شارژ گیت

    به مقدار شارژی که می‌بایست به گیت وارد شود تا دستگاه به صورت کامل روشن شود، شارژ گیت گفته می‌شود. اهمیت این فاکتور در طرح‌هایی که از فرکانس سوئیچینگ بالا استفاده می‌شود، مشخص می‌شود؛ به دلیل این‌که میزان تلفات سوئیچینگ که قطعه با آن روبرو می‌شود با فرکانس بالا همبستگی مستقیم دارد. هرچقدر در یک ماسفت مقدار Qg کم‌تر باشد، یک برنامه سوئیچینگ فرکانس بالا کارآمدتر خواهد بود.

    بسته/کیس

    انتخاب ترانزیستور ماسفت باید بر اساس الزامات مکانیکی و حرارتی طراحی انجام شود. بسته به چیدمان فیزیکی یا فضای تخته موجود، انتخاب بسته‌هایی خاص بهتر هستند.
    نوع پکیج روی میزان مقاومت حرارتی سیلیکون ماسفت تا مقاومت حرارتی از محل اتصال به کیس که هیت سینک در آن نصب می‌شود، تأثیر می‌گذارد. این مورد یک پارامتر حیاتی برای عملکرد حرارتی در طراحی‌های اتلاف توان بالا یا جریان بالا است.

    خرید ترانزیستور ماسفت 

    طراحی نهایی است که مشخص می‌کند کدام یک از پارامترهای مذکور برای دستیابی به عملکرد موردنظر مهم‌تر هستند. بهتر است این موضوع را هم در نظر داشته باشید که ممکن است یک بخش برای یک پارامتر عملکردی عالی را ارائه دهد، ولی عملکرد بخش دیگری را کاهش دهد. برای برطرف کردن این مشکل فهرستی از اولویت‌ها تهیه کنید و از آن برای محدود کردن قسمت‌هایی که مناسب است، استفاده کنید.

    اگر برای خرید ترانزیستور ماسفت نیاز به دریافت مشاوره دارید، می‌توانید از کارشناسان ما در دیجی قطعه مشاوره تخصصی دریافت کنید.

     در صورتی قطعه موردنظر خود را در بخش فروشگاه پیدا نکردید، می‌توانید مشخصات محصول را در سفارش خود ثبت نمایید؛ قطعات مورد نظر  در اسرع وقت تامین شده و ارسال می‌گردد.

    گوشی رو بردار!

    کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن با شما تماس خواهند گرفت و آماده پاسخگویی به سوالات شما می‌باشند.

    تلفن پشتیبانی: ۲۸۴۲۲۱۱۰ ۰۲۱

    پشتیبانی 24 ساعته دیجی قطعه
    خانه محصولات سبد ورود/ثبت نام