فروش، طراحی، ساخت، تولید و تعمیرات قطعات الکترونیکی

ترانزیستور ماسفت روبردی MOSFET SMD

نوع محصول

محصولات ارسال فوری 142 محصول یافت شد

این محصولات در انبار موجود هستند و در سریع ترین زمان ارسال خواهند شد.

عنوان / سازنده

ویژگی‌ها

قیمت عملیات

ترانزیستور ماسفت SCT3040KLHRC11 1200 ولت 55 آمپر

سازنده: Rohm Semiconductor

سری ها	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Automotive, AEC-Q101	Tube	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	1200 V	55A (Ta)	18V	52mOhm @ 20A, 18V	5.6V @ 10mA	107 nC @ 18 V	+22V, -4V	1337 pF @ 800 V	262W	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247N	TO-247-3

998,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 310 وات 75 ولت STB140NF75T4 - N Channel

سازنده: STMicroelectronics

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	تایپ	Input Capacitance (Ciss@Vds)	Total Gate Charge (Qg@Vgs)	دمای کارکرد
75V	120A	6.5mΩ@10V,70A	310W	4V@250uA	310pF@25V	N Channel	5nF@25V	160nC@10V	-55℃~+175℃@(Tj)

525,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 330 وات 65 آمپر IRFB4227PBF - N Channel

سازنده: Infineon Technologies

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Power Dissipation (Pd)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
200V	65A	330W	24mΩ@10V,46A	5V@250uA	N Channel

372,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 310 وات 55 ولت IRFP1405PBF - N Channel

سازنده: Infineon Technologies

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Power Dissipation (Pd)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
55V	95A	310W	5.3mΩ@10V,95A	4V@250uA	N Channel

190,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 500 وات LSB65R041GT - N Channel

سازنده: LONTEN

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
650V	78A	41mΩ@10V,39A	500W	4.5V@250uA	N Channel

165,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 580 وات IRFP90N20DPBF - N Channel

سازنده: Infineon Technologies

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
200V	94A	23mΩ@10V,56A	580W	5V@250uA	N Channel

105,500 تومان

ترانزیستور ماسفت 600 ولت 10 آمپر TK20A60U - N Channel

سازنده: TOSHIBA

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Power Dissipation (Pd)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
600V	20A	45W	190mΩ@10V,10A	5V@1mA	N Channel

102,000 تومان

ترانزیستور ماسفت K20A60W5 - N-Channel

سازنده: TOSHIBA

102,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 500 وات FDA59N30 - N Channel

سازنده: onsemi

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Power Dissipation (Pd)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
300V	59A	500W	56mΩ@10V,29.5A	5V@250uA	N Channel

97,300 تومان

ترانزیستور ماسفت 300 ولت 34 آمپر FDAF59N30 - N Channel

سازنده: Unknown

Mounting Style	کیس / پکیج	قطبیت	تعداد کانال ها	جریان تخلیه مداوم (ID)	Power Dissipation (Pd)
Through Hole	TO-3PN-3	N-Channel	1 Channel	34 A	161 W

97,300 تومان

ترانزیستور ماسفت IRFH7787TRPBF - N Channel

سازنده: Infineon Technologies

پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	75 V	6V, 10V	4030 pF @ 25 V	83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	PQFN (5x6)	8-PowerTDFN

78,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 100 ولت 136 وات NTMFS3D6N10MCLT1G

سازنده: onsemi

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	تایپ	Input Capacitance (Ciss@Vds)	Total Gate Charge (Qg@Vgs)	دمای کارکرد
100V	131A	3mΩ@10V,48A	136W	1.5V@270uA	29pF@50V	N Channel	4.411nF@50V	29nC@4.5V	-55℃~+175℃@(Tj)

76,125 تومان

ترانزیستور ماسفت BTS132 - N Channel

سازنده: Infineon Technologies

ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)	پکیج
60 V	24 A	0.065 Ω	TO-220AB

72,500 تومان

ترانزیستور ماسفت 500 ولت 21 آمپر SPA21N50C3 - N Channel

سازنده: Infineon Technologies

کیس / پکیج	قطبیت	تعداد کانال ها	Drain to Source Breakdown Voltage	شارژ گیت (Qg)	Power Dissipation (Pd)
TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	500 V	95 nC	34.5 W

67,500 تومان

ترانزیستور ماسفت 200 ولت 60 آمپر IXTP60N20T

سازنده: IXYS

Mounting Style	کیس / پکیج	قطبیت	تعداد کانال ها	حداقل دمای عملیاتی	حداکثر دمای عملیاتی	اتلاف توان
Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	- 55 C	+ 175 C	500 W

66,500 تومان

ترانزیستور ماسفت 30 ولت FDS6679AZ - P Channel

سازنده: onsemi

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
30V	13A	9.3mΩ@10V,13A	2.5W	3V@250μA	P Channel

61,500 تومان

ترانزیستور ماسفت 500 وات 8 آمپر IRF840

سازنده: Foshan Blue Rocket Elec

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
500V	8A	850mΩ@10V,4.8A	125W	4V@250μA	N Channel

52,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 30 ولت FDD8876 - N Channel

سازنده: onsemi

Mounting Style	کیس / پکیج	تعداد کانال ها	شارژ گیت (Qg)	حداقل دمای عملیاتی	حداکثر دمای عملیاتی
SMD/SMT	DPAK-3	1 Channel	47 nC	- 55 C	+ 175 C

51,700 تومان

ماسفت 250 ولت 50 آمپر FKP250A

سازنده: Unknown

پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Continuous Drain Current (Id)
Bulk	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	50A (Ta)

49,900 تومان

ترانزیستور ماسفت 30 ولت 1 کاناله IRLR7833PBF - N Channel

سازنده: Infineon Technologies

Mounting Style	کیس / پکیج	تعداد کانال ها	حداقل دمای عملیاتی	حداکثر دمای عملیاتی	Power Dissipation (Pd)
SMD/SMT	TO-252-3	1 Channel	- 55 C	+ 175 C	140 W

49,500 تومان

ترانزیستور ماسفت 176وات STP100N8F6 - N Channel

سازنده: STMicroelectronics

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	تایپ	Input Capacitance (Ciss@Vds)	Total Gate Charge (Qg@Vgs)	دمای کارکرد
80V	100A	8mΩ@10V,50A	176W	4V@250uA	160pF@25V	N Channel	5.955nF@25V	100nC@10V	-55℃~+175℃@(Tj)

47,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 30 ولت 11.4 آمپر SI4435DDY-T1-GE3 30

سازنده: Vishay Siliconix

سری ها	پکیج	پکیج	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	11.4A (Tc)	4.5V, 10V	24mOhm @ 9.1A, 10V	3V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±20V	1350 pF @ 15 V	2.5W (Ta), 5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

45,500 تومان

ترانزیستور ماسفت 80 ولت CSD19503KCS

سازنده: Texas Instruments

تکنولوژی	Mounting Style	کیس / پکیج	قطبیت	تعداد کانال ها	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)	شارژ گیت (Qg)	حداقل دمای عملیاتی	حداکثر دمای عملیاتی	اتلاف توان	پکیجینگ (بسته بندی)	پیکربندی	زمان نزول	Unit Weight
Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 A	9.2 mOhms	28 nC	- 55 C	+ 150 C	188 W	Tube	Single	2 ns	0.068784 oz

43,500 تومان

ترانزیستور ماسفت PTA20N50A

سازنده: PIP

Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	تایپ	اتلاف توان	ولتاژ آستانه گیت	Drain Source On Resistance (RDS(on)	پکیج
500V	20A	N Channel	55W	4V 250uA	0.3Ω 10A,10V	TO-220F

42,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 3.1 وات AO4292E

سازنده: Alpha & Omega Semicon

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
100V	8A	23mΩ@10V,8A	3.1W	2.7V@250μA	N Channel

39,500 تومان

ترانزیستور ماسفت 3.1 وات AON7508 - N Channel

سازنده: Alpha & Omega Semicon

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Power Dissipation (Pd)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
30V	26A	3.1W	3mΩ@10V,20A	2.2V@250uA	N Channel

39,500 تومان

ترانزیستور ماسفت 43 وات IRF510PBF - N Channel

سازنده: Infineon Technologies

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
100V	5.6A	540mΩ@10V,3.4A	43W	4V@250uA	N Channel

39,000 تومان

ترانزیتسور ماسفت 40 ولت 176 آمپر 192 وات HY3704P

سازنده: HUAYI

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Power Dissipation (Pd)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
40V	176A	192W	3.6mΩ@10V,88A	4V@250μA	N Channel

39,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 30 ولت 20 آمپر IRF7832TRPBF

سازنده: Infineon Technologies

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Power Dissipation (Pd)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
30V	20A	2.5W	4mΩ@10V,20A	2.32V@250uA	N Channel

36,000 تومان

ترانزیستور ماسفت 100 ولت 2 وات FQT7N10LTF - N Channel

سازنده: onsemi

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Power Dissipation (Pd)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
100V	1.7A	2W	350mΩ@10V,850mA	2V@250uA	N Channel

36,000 تومان

در بیشتر لوازم الکترونیکی که هر روز استفاده می‌کنیم، از ترانزیستور استفاده شده است.
ترانزیستورها به دو دسته کلی ترانزیستور اثر میدانی و ترانزیستور اتصال دو قطبی تقسیم شده و بر اساس نوع‌شان وظیفه کنترل جریان و کنترل ولتاژ را بر عهده دارند. ترانزیستور ماسفت در گروه ترانزیستورهای اثر میدانی قرار می‌گیرد و عهده‌دار کنترل ولتاژ است.

خرید ترانزیستور ماسفت رو بردی

ترانزیستور اثر میدان (FET) با سه‌ پایه به گِیت (Gate)، دِرِین (Drain) و سورس (Source)در نظر گرفته می‌شود و کنترل جریان عبوری از ترانزیستور با ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا و اعمال ولتاژ انجام می‌شود. در ماسفت گیت ترانزیستور به وسیله یک لایه اکسید سیلیسیم (SiO2) مجزا از کانال شده است.

با توجه به اینکه سوئیچینگ و تقویت سیگنال از کاربردهای اصلی ترانزیستورهاست و ترانزیستور ماسفت MOSFET هم مانند یک سوئیچ عمل کرده و اتصال را با یک مدار الکترونیکی ایجاد یا قطع کند. ترانزیستورهای دو قطبی در برخی نواحی هر دو کاربرد سوئیچینگ و تقویت سیگنال را دارند؛ در صورت بررسی اهداف پروژه و ویژگی‌های کاربردهای ترانزیستورها، خرید ترانزیستور bjt هم که همچون ماسفت شبیه یک سوئیچ عمل می‌کند، می‌تواند به عنوان یک جایگزین باشد.

ماسفت ها مشابه کلید روی دیوار هستند، اما به جای استفاده از ابزار مکانیکی برای روشن کردن آن، ماسفت با سیگنال الکتریکی روشن می‌شود.

در ماسفت، به دلیل این‌که پایه کنترلی جریانی مصرف نمی‌کند، جریان عبوری از ترانزیستور با ایجاد میدان درون نیمه رسانا و اعمال ولتاژ کنترل می‌شود. ورودی این مدار امپدانس بالایی دارد و اثر بارگذاری روی طبقات قبلی نخواهد گذاشت. بسته به نوع کانالی که در ترانزیستور شکل می‌گیرد، ماسفت ها را N-MOS یا P-MOS نام گذاری می‌کنند.

خرید ماسفت MOSFET SMD از دیجی قطعه

ترانزیستور ماسفت یا توجه به ویژگی های مختلفی که دارد، کاربردهای مختلفی از کنترل چراغ‌های کوچک و LED گرفته تا موتورهای صنعتی بزرگ دارد. در نظر گرفتن هر کدام از این ویژگی ها در زمان انتخاب این قطعه برای پروژه، روی قیمت ماسفت تاثیر می‌گذارد.

نوع کانال

نوع کانال به ساخت سیلیکون داخل دستگاه اشاره دارد. ترانزیستور ماسفت کانال N با یک ولتاژ مثبت روی دروازه نسبت به منبع روشن می‌شود؛ در حالی که ماسفت کانال P با ولتاژ منفی روی دروازه نسبت به منبع روشن می‌شود. بسته به جایی که دستگاه در مدار مورد استفاده قرار می‌‍گیرد و این‌که چه ولتاژی به گیت اعمال می‌شود، می‌تواند تصمیم بگیرد از کدام قسمت استفاده شود. برای ثبت سفارش خرید Bs170 به عنوان معروف ترین ماسفت کانال N و خرید IRF9540 به عنوان معروف ترین ماسفت کانال P می‌توانید از قسمت فروشگاه اقدام کنید.

حداکثر ولتاژ تخلیه به منبع

برای توانایی مسدود کردن ولتاژ اعمال شده به قطعات در زمانی که خاموش هستند، یک امتیاز در نظر گرفته می‌شود که به آن ولتاژ تخلیه به منبع گفته می‌شود. هرچه این مقدار بیشتر باشد، بهتر است. برای خرید ترانزیستور ماسفت بهتر است به این نکته توجه کنید که درجه ولتاژ قطعه مورد نظرتان دو برابر ولتاژ مورد انتظار اعمال شده به تخلیه باشد؛ به این دلیل که در سیستم‌های الکتریکی که ماسفت‌ سوئیچینگ به کار رفته، افزایش ولتاژ کوتاه بسیار بالاتر از ولتاژ ورودی است.

مقاومت تخلیه به منبع

این فاکتور مشخص می‌کند که در زمان هدایت دستگاه، چه مقدار گرما تولید می‌شود. در یک گیت معین، Rdson در دیتاشیت به دما و ولتاژ منبع مشخص شده است؛ بنابراین باید این مسئله را در نظر داشته باشید که تفاوت در ولتاژ یا دما می‌تواند باعث شود مقادیر Rdson متفاوت شود.

حداکثر جریان تخلیه DC

این پارامتر مشخص کننده بیشترین میزان جریانی که یک دستگاه می‌تواند به صورت نامحدود با خنک سازی‌های کافی تحمل کند. البته این مقادیر نمی‌توانند تضمینی برای درست کار کردن دستگاه باشد و فقط دستگاه بتواند، میزان کمی از کسری جریان را قبل از خرابی انجام دهد و این به Vds بسته دارد. برای اطمینان از این‌که دستگاه تا چه میزان از جریان را می‌تواند تحمل کند، می‌توان نمودار ناحیه عملیاتی ایمن را در کاتالوگ اطلاعات دستگاه بررسی کنید.

آستانه ولتاژ گیت

ولتاژی که دستگاه با آن شروع به هدایت می‌کند؛ آستانه ولتاژ گیت است. هدایت کامل در ولتاژ گیت بالاتر اتفاق می‌افتد. برای داشتن تصویری دقیق‌تر از جایی که دستگاه در آن ایده‌آل کار می‌کند، می‌توانید ولتاژی که Rdson در آن مشخص شده را بررسی کنید. این فاکتور بسته به این‌که چه ولتاژی از درایور MCU یا گیت در دسترس است، مورد اهمیت است.

شارژ گیت

به مقدار شارژی که می‌بایست به گیت وارد شود تا دستگاه به صورت کامل روشن شود، شارژ گیت گفته می‌شود. به دلیل این‌که میزان تلفات سوئیچینگ که قطعه با آن روبرو می‌شود با فرکانس بالا همبستگی مستقیم دارد، اهمیت این فاکتور در طرح‌هایی مشخص می‌شود که از فرکانس سوئیچینگ بالا استفاده می‌شود. هرچقدر در یک ماسفت مقدار Qg کم‌تر باشد، یک برنامه سوئیچینگ فرکانس بالا کارآمدتر خواهد بود.

بسته/کیس

انتخاب ترانزیستور ماسفت باید بر اساس الزامات مکانیکی و حرارتی طراحی انجام شود. بسته به چیدمان فیزیکی یا فضای تخته موجود، انتخاب بسته‌هایی خاص بهتر هستند. نوع پکیج روی میزان مقاومت حرارتی سیلیکون ماسفت تا مقاومت حرارتی از محل اتصال به کیس که هیت سینک در آن نصب می‌شود، تأثیر می‌گذارد. این مورد یک پارامتر حیاتی برای عملکرد حرارتی در طراحی‌های اتلاف توان بالا یا جریان بالا است.

قیمت ترانزیستور ماسفت اس ام دی چقدر است؟

طراحی نهایی است که مشخص می‌کند با توجه به نیاز پروژه، کدام یک از پارامترهای مذکور برای رسیدن به عملکرد مورد نظر مهم‌تر هستند. بهتر است این موضوع را هم در نظر داشته باشید که ممکن است یک بخش برای یک پارامتر عملکردی عالی را ارائه دهد، ولی عملکرد بخش دیگری را کاهش دهد. قیمت ماسفت بر اساس ویژگی‌های این ترانزیستور و میزان آن‌ها می‌تواند متغیر باشد.

نوع کانال (N کانال یا P کانال)
حداکثر تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss)
مقاومت تخلیه به منبع (Rdson)
حداکثر جریان تخلیه DC
آستانه ولتاژ گیت (Vth)
شارژ دروازه (Qg)
بسته/کیس

خرید ماسفت smd از سایت فروش قطعات الکترونیکی

با توجه به کاربرد زیادی که ترانزیستورها در صنعت دارند، خرید تامین قطعات مورد نیاز دستگاه‌ها و پروژه‌ها، زیاد انجام می‌شود. برای برطرف کردن مشکلات احتمالی ناشی از تداخل عملکرد ویژگی‌های ترانزیستور، بهتر است فهرستی از اولویت‌ها تهیه کرده و از آن برای محدود کردن قسمت‌های مناسب، استفاده کنید؛ به عنوان مثال در یک پروژه ممکن است نیاز باشد ترانزیستور igbt خرید ؛ در حالی که در پروژه‌ای دیگر خرید ترانزیستور jfet نتیجه بهتری بدهد.

اگر برای خرید ماسفت نیاز به دریافت مشاوره دارید، می‌توانید از کارشناسان ما در دیجی قطعه مشاوره تخصصی دریافت کنید. در صورتی قطعه موردنظر خود را در فروشگاه پیدا نکردید، می‌توانید مشخصات محصول را در سفارش خود ثبت کنید؛ قطعات مورد نظر در اسرع وقت تامین شده و ارسال می‌گردد.

گوشی رو بردار!

کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن با شما تماس خواهند گرفت و آماده پاسخگویی به سوالات شما می‌باشند.

تلفن پشتیبانی: ۵۸۱۴۹۹۹۹ ۰۲۱