فروش، طراحی، ساخت، تولید و تعمیرات قطعات الکترونیکی

ماسفت روبردی MOSFET SMD

نوع محصول

محصولات ارسال فوری 74 محصول یافت شد

این محصولات در انبار موجود هستند و در سریع ترین زمان ارسال خواهند شد.

عنوان / سازنده

ویژگی‌ها

قیمت عملیات

ترانزیستور ماسفت K3530-01

سازنده: Unknown

استعلام

ترانزیستور ماسفت BS170 نوع N-Channel پکیج TO-92

سازنده: onsemi

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
60V	500mA	5Ω@10V,200mA	830mW	3V@1mA	N Channel

استعلام

ترانزیستور ماسفت 20 ولت IRF7317TRPBF پکیج 8-SOIC

سازنده: Infineon Technologies

سری ها	پکیج	پکیج	پکیج	Drain to Source Voltage (Vdss)	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
HEXFET®	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	20V	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

استعلام

ترانزیستور ماسفت 60 ولت 48 آمپر IRFZ44ESTRLPBF

سازنده: Infineon Technologies

سری ها	پکیج	پکیج	پکیج	Drain to Source Voltage (Vdss)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Vgs (Max)	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
HEXFET®	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	60 V	10V	±20V	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

استعلام

ترانزیستور ماسفت IRLR7833TRPBF

سازنده: Infineon Technologies

نوع نصب	کیس / پکیج	تعداد کانال ها	شارژ گیت (Qg)	اتلاف توان	پکیجینگ (بسته بندی)	پکیجینگ (بسته بندی)	پکیجینگ (بسته بندی)	پیکربندی	تایپ	نوع ترانزیستور	زمان نزول	زمان برخاستن
SMD/SMT	TO-252-3	1	38 nC	140 W	Cut Tape	Reel®	Reel	Single	HEXFET Power MOSFET	1 N-Channel	15 ns	6.9 ns

استعلام

ترانزیستور ماسفت ( IRF5210SPbF ) 100 ولت 38 آمپر

سازنده: Infineon Technologies

سری ها	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
HEXFET®	Tube	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	38A (Tc)	10V	60mOhm @ 38A, 10V	4V @ 250µA	230 nC @ 10 V	±20V	2780 pF @ 25 V	3.1W (Ta), 170W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	D2PAK	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

استعلام

ترانزیستور ماسفت IRF5210LPbF 100 ولت 38 آمپر

سازنده: Infineon Technologies

سری ها	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
HEXFET®	Tube	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	38A (Tc)	10V	60mOhm @ 38A, 10V	4V @ 250µA	230 nC @ 10 V	±20V	2780 pF @ 25 V	3.1W (Ta), 170W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-262	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

استعلام

ترانزیستور ماسفت IRFR420PBF 500 ولت 2.4 آمپر

سازنده: Vishay Siliconix

پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Tube	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	2.4A (Tc)	10V	3Ohm @ 1.4A, 10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	360 pF @ 25 V	2.5W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	D-Pak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

استعلام

ترانزیستور ماسفت SCT3040KLHRC11 1200 ولت 55 آمپر

سازنده: Rohm Semiconductor

سری ها	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Automotive, AEC-Q101	Tube	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	1200 V	55A (Ta)	18V	52mOhm @ 20A, 18V	5.6V @ 10mA	107 nC @ 18 V	+22V, -4V	1337 pF @ 800 V	262W	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247N	TO-247-3

استعلام

ترانزیستور ماسفت SCT3080ARC14 650 ولت 30 آمپر

سازنده: Rohm Semiconductor

پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Tube	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	650 V	30A (Tc)	18V	104mOhm @ 10A, 18V	5.6V @ 5mA	48 nC @ 18 V	+22V, -4V	571 pF @ 500 V	134W	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-4L	TO-247-4

استعلام

ترانزیستور ماسفت SCT3120ALHRC11 650 ولت 21 آمپر

سازنده: Rohm Semiconductor

سری ها	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Automotive, AEC-Q101	Tube	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	650 V	21A (Tc)	18V	156mOhm @ 6.7A, 18V	5.6V @ 3.33mA	38 nC @ 18 V	+22V, -4V	460 pF @ 500 V	103W	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247N	TO-247-3

استعلام

ترانزیستور ماسفت SCT2750NYTB 1700 ولت 5.9 آمپر

سازنده: Rohm Semiconductor

پکیج	پکیج	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	1700 V	5.9A (Tc)	18V	975mOhm @ 1.7A, 18V	4V @ 630µA	17 nC @ 18 V	+22V, -6V	275 pF @ 800 V	57W (Tc)	175°C (TJ)	Surface Mount	TO-268	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

استعلام

ترانزیستور ماسفت SCT3030ARC14 650 ولت 70 آمپر

سازنده: Rohm Semiconductor

پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Tube	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	650 V	70A (Tc)	18V	39mOhm @ 27A, 18V	5.6V @ 13.3mA	104 nC @ 18 V	+22V, -4V	1526 pF @ 500 V	262W	175°C (TJ)	Through Hole	TO-247-4L	TO-247-4

استعلام

ترانزیستور ماسفت 20 ولت 4 آمپر پکیج DMG3415U-7 - SOT-23-3

سازنده: Diodes Incorporated

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
20V	4A	39mΩ@4.5V,4A	900mW	1V@250μA	P Channel

استعلام

ترانزیستور DMN3404L-7

سازنده: Diodes Incorporated

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
30V	5.8A	28mΩ@10V,5.8A	720mW	2V@250μA	N Channel

استعلام

ترانزیستور ماسفت ( IRF820PBF ) 500 ولت 2.5 آمپر

سازنده: Vishay Siliconix

پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Tube	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	500 V	2.5A (Tc)	10V	3Ohm @ 1.5A, 10V	4V @ 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	360 pF @ 25 V	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3

استعلام

ترانزیستور ماسفت IRF9640SPBF 200 ولت 11 آمپر

سازنده: Vishay Siliconix

پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Tube	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	200 V	11A (Tc)	10V	500mOhm @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	3W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	D²PAK (TO-263)	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

استعلام

ترانزیستور IPW65R041CFD

سازنده: Infineon Technologies

درج نصب	کیس / پکیج	نوع ترانزیستور	تعداد کانال ها	حداقل دمای عملیاتی	حداکثر دمای عملیاتی	پکیجینگ (بسته بندی)	پیکربندی	زمان نزول	ارتفاع	طول	نوع محصول	زمان برخاستن	سری ها	طول	وزن
Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	- 55 C	+ 150 C	Tube	Single	8 ns	21.1 mm	16.13 mm	MOSFET	28 ns	CoolMOS CFD2	5.21 mm	0.211644 oz

استعلام

ترانزیستور ماسفت IRF9520PBF 100 ولت 6.8 آمپر

سازنده: Vishay Siliconix

پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Tube	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	6.8A (Tc)	10V	600mOhm @ 4.1A, 10V	4V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	390 pF @ 25 V	60W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-220AB	TO-220-3

استعلام

ترانزیستور SPA20N60C3

سازنده: Infineon Technologies

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Power Dissipation (Pd)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
650V	20.7A	34.5W	190mΩ@10V,13.1A	3.9V@1mA	N Channel

استعلام

ترانزیستور ماسفت TP0610K-T1-GE3 60 ولت 185 میلی آمپر

سازنده: Vishay Siliconix

سری ها	پکیج	پکیج	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	185mA (Ta)	4.5V, 10V	6Ohm @ 500mA, 10V	3V @ 250µA	1.7 nC @ 15 V	±20V	23 pF @ 25 V	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

استعلام

ترانزیستور FQPF20N06

سازنده: onsemi

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Power Dissipation (Pd)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	تایپ
60V	15A	30W	60mΩ@10V,7.5A	4V@250μA	N Channel

استعلام

ترانزیستور ماسفت SIA433EDJ-T1-GE3 20 ولت 12 آمپر

سازنده: Vishay Siliconix

سری ها	پکیج	پکیج	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	12A (Tc)	1.8V, 4.5V	18mOhm @ 7.6A, 4.5V	1.2V @ 250µA	75 nC @ 8 V	±12V	3.5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	PowerPAK® SC-70-6	PowerPAK® SC-70-6

استعلام

ترانزیستور STP20NM60FP

سازنده: STMicroelectronics

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	تایپ	Input Capacitance (Ciss@Vds)	Total Gate Charge (Qg@Vgs)	دمای کارکرد
600V	20A	250mΩ@10V,10A	45W	4V@250uA	35pF@25V	N Channel	1.5nF@25V	39nC@10V	+150℃@(Tj)

استعلام

ترانزیستور ماسفت SI2343CDS-T1-GE3 30 ولت 5.9 آمپر

سازنده: Vishay Siliconix

سری ها	پکیج	پکیج	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	30 V	5.9A (Tc)	4.5V, 10V	45mOhm @ 4.2A, 10V	2.5V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	590 pF @ 15 V	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

استعلام

ترانزیستور ماسفت SI1401EDH-T1-GE3 12 ولت 4 آمپر

سازنده: Vishay Siliconix

سری ها	پکیج	پکیج	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	12 V	4A (Tc)	1.5V, 4.5V	34mOhm @ 5.5A, 4.5V	1V @ 250µA	36 nC @ 8 V	±10V	1.6W (Ta), 2.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	SC-70-6	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

استعلام

ترانزیستور ماسفت 2N7002E-T1-E3 60 ولت 240 میلی آمپر

سازنده: Vishay Siliconix

پکیج	پکیج	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	60 V	240mA (Ta)	4.5V, 10V	3Ohm @ 250mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	21 pF @ 5 V	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

استعلام

ترانزیستور MTD20N03HDLT4

سازنده: VBsemi Elec

Drain Source Voltage (Vdss)	Continuous Drain Current (Id)	Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	Power Dissipation (Pd)	Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	تایپ	Input Capacitance (Ciss@Vds)	Total Gate Charge (Qg@Vgs)	دمای کارکرد
30V	50A	7mΩ@10V,21.8A	100W	2V@250uA	370pF@15V	N Channel	2.201nF@15V	25nC@4.5V	-55℃~+175℃@(Tj)

استعلام

ترانزیستور ماسفت PMV48XP,215 20 ولت 3.5 آمپر

سازنده: Nexperia

پکیج	پکیج	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	20 V	3.5A (Ta)	2.5V, 4.5V	55mOhm @ 2.4A, 4.5V	1.25V @ 250µA	11 nC @ 4.5 V	±12V	1000 pF @ 10 V	510mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

استعلام

ترانزیستور ماسفت SUD50P10-43L-E3 100 ولت 37.1 آمپر

سازنده: Vishay Siliconix

سری ها	پکیج	پکیج	پکیج	نوع FET	تکنولوژی	Drain to Source Voltage (Vdss)	جریان تخلیه مداوم (ID)	ولتاژ محرک (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On Max	Vgs(th) (Max)	شارژ گیت (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	حداکثر اتلاف توان	دمای کارکرد	نوع نصب	بسته دستگاه تأمین کننده	کیس / پکیج
TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Reel®	P-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	100 V	37.1A (Tc)	4.5V, 10V	43mOhm @ 9.2A, 10V	3V @ 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	4600 pF @ 50 V	8.3W (Ta), 136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	TO-252AA	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

استعلام

در بیشتر لوازم الکترونیکی که هر روز استفاده می‌کنیم، از ترانزیستور استفاده شده است.
ترانزیستورها به دو دسته کلی ترانزیستور اثر میدانی و ترانزیستور اتصال دو قطبی تقسیم شده و بر اساس نوع‌شان وظیفه کنترل جریان و کنترل ولتاژ را بر عهده دارند. ترانزیستور ماسفت در گروه ترانزیستورهای اثر میدانی قرار می‌گیرد و عهده‌دار کنترل ولتاژ است.

خرید ترانزیستور ماسفت رو بردی

ترانزیستور اثر میدان (FET) با سه‌ پایه به گِیت (Gate)، دِرِین (Drain) و سورس (Source)در نظر گرفته می‌شود و کنترل جریان عبوری از ترانزیستور با ایجاد میدان الکتریکی درون نیمه رسانا و اعمال ولتاژ انجام می‌شود. در ماسفت گیت ترانزیستور به وسیله یک لایه اکسید سیلیسیم (SiO2) مجزا از کانال شده است.

با توجه به اینکه سوئیچینگ و تقویت سیگنال از کاربردهای اصلی ترانزیستورهاست و ترانزیستور ماسفت MOSFET هم مانند یک سوئیچ عمل کرده و اتصال را با یک مدار الکترونیکی ایجاد یا قطع کند. ترانزیستورهای دو قطبی در برخی نواحی هر دو کاربرد سوئیچینگ و تقویت سیگنال را دارند؛ در صورت بررسی اهداف پروژه و ویژگی‌های کاربردهای ترانزیستورها، خرید ترانزیستور bjt هم که همچون ماسفت شبیه یک سوئیچ عمل می‌کند، می‌تواند به عنوان یک جایگزین باشد.

ماسفت ها مشابه کلید روی دیوار هستند، اما به جای استفاده از ابزار مکانیکی برای روشن کردن آن، ماسفت با سیگنال الکتریکی روشن می‌شود.

در ماسفت، به دلیل این‌که پایه کنترلی جریانی مصرف نمی‌کند، جریان عبوری از ترانزیستور با ایجاد میدان درون نیمه رسانا و اعمال ولتاژ کنترل می‌شود. ورودی این مدار امپدانس بالایی دارد و اثر بارگذاری روی طبقات قبلی نخواهد گذاشت. بسته به نوع کانالی که در ترانزیستور شکل می‌گیرد، ماسفت ها را N-MOS یا P-MOS نام گذاری می‌کنند.

خرید ماسفت MOSFET SMD از دیجی قطعه

ترانزیستور ماسفت یا توجه به ویژگی های مختلفی که دارد، کاربردهای مختلفی از کنترل چراغ‌های کوچک و LED گرفته تا موتورهای صنعتی بزرگ دارد. در نظر گرفتن هر کدام از این ویژگی ها در زمان انتخاب این قطعه برای پروژه، روی قیمت ماسفت تاثیر می‌گذارد.

نوع کانال

نوع کانال به ساخت سیلیکون داخل دستگاه اشاره دارد. ترانزیستور ماسفت کانال N با یک ولتاژ مثبت روی دروازه نسبت به منبع روشن می‌شود؛ در حالی که ماسفت کانال P با ولتاژ منفی روی دروازه نسبت به منبع روشن می‌شود. بسته به جایی که دستگاه در مدار مورد استفاده قرار می‌‍گیرد و این‌که چه ولتاژی به گیت اعمال می‌شود، می‌تواند تصمیم بگیرد از کدام قسمت استفاده شود. برای ثبت سفارش خرید Bs170 به عنوان معروف ترین ماسفت کانال N و خرید IRF9540 به عنوان معروف ترین ماسفت کانال P می‌توانید از قسمت فروشگاه اقدام کنید.

حداکثر ولتاژ تخلیه به منبع

برای توانایی مسدود کردن ولتاژ اعمال شده به قطعات در زمانی که خاموش هستند، یک امتیاز در نظر گرفته می‌شود که به آن ولتاژ تخلیه به منبع گفته می‌شود. هرچه این مقدار بیشتر باشد، بهتر است. برای خرید ترانزیستور ماسفت بهتر است به این نکته توجه کنید که درجه ولتاژ قطعه مورد نظرتان دو برابر ولتاژ مورد انتظار اعمال شده به تخلیه باشد؛ به این دلیل که در سیستم‌های الکتریکی که ماسفت‌ سوئیچینگ به کار رفته، افزایش ولتاژ کوتاه بسیار بالاتر از ولتاژ ورودی است.

مقاومت تخلیه به منبع

این فاکتور مشخص می‌کند که در زمان هدایت دستگاه، چه مقدار گرما تولید می‌شود. در یک گیت معین، Rdson در دیتاشیت به دما و ولتاژ منبع مشخص شده است؛ بنابراین باید این مسئله را در نظر داشته باشید که تفاوت در ولتاژ یا دما می‌تواند باعث شود مقادیر Rdson متفاوت شود.

حداکثر جریان تخلیه DC

این پارامتر مشخص کننده بیشترین میزان جریانی که یک دستگاه می‌تواند به صورت نامحدود با خنک سازی‌های کافی تحمل کند. البته این مقادیر نمی‌توانند تضمینی برای درست کار کردن دستگاه باشد و فقط دستگاه بتواند، میزان کمی از کسری جریان را قبل از خرابی انجام دهد و این به Vds بسته دارد. برای اطمینان از این‌که دستگاه تا چه میزان از جریان را می‌تواند تحمل کند، می‌توان نمودار ناحیه عملیاتی ایمن را در کاتالوگ اطلاعات دستگاه بررسی کنید.

آستانه ولتاژ گیت

ولتاژی که دستگاه با آن شروع به هدایت می‌کند؛ آستانه ولتاژ گیت است. هدایت کامل در ولتاژ گیت بالاتر اتفاق می‌افتد. برای داشتن تصویری دقیق‌تر از جایی که دستگاه در آن ایده‌آل کار می‌کند، می‌توانید ولتاژی که Rdson در آن مشخص شده را بررسی کنید. این فاکتور بسته به این‌که چه ولتاژی از درایور MCU یا گیت در دسترس است، مورد اهمیت است.

شارژ گیت

به مقدار شارژی که می‌بایست به گیت وارد شود تا دستگاه به صورت کامل روشن شود، شارژ گیت گفته می‌شود. به دلیل این‌که میزان تلفات سوئیچینگ که قطعه با آن روبرو می‌شود با فرکانس بالا همبستگی مستقیم دارد، اهمیت این فاکتور در طرح‌هایی مشخص می‌شود که از فرکانس سوئیچینگ بالا استفاده می‌شود. هرچقدر در یک ماسفت مقدار Qg کم‌تر باشد، یک برنامه سوئیچینگ فرکانس بالا کارآمدتر خواهد بود.

بسته/کیس

انتخاب ترانزیستور ماسفت باید بر اساس الزامات مکانیکی و حرارتی طراحی انجام شود. بسته به چیدمان فیزیکی یا فضای تخته موجود، انتخاب بسته‌هایی خاص بهتر هستند. نوع پکیج روی میزان مقاومت حرارتی سیلیکون ماسفت تا مقاومت حرارتی از محل اتصال به کیس که هیت سینک در آن نصب می‌شود، تأثیر می‌گذارد. این مورد یک پارامتر حیاتی برای عملکرد حرارتی در طراحی‌های اتلاف توان بالا یا جریان بالا است.

قیمت ماسفت اس ام دی چقدر است؟

طراحی نهایی است که مشخص می‌کند با توجه به نیاز پروژه، کدام یک از پارامترهای مذکور برای رسیدن به عملکرد مورد نظر مهم‌تر هستند. بهتر است این موضوع را هم در نظر داشته باشید که ممکن است یک بخش برای یک پارامتر عملکردی عالی را ارائه دهد، ولی عملکرد بخش دیگری را کاهش دهد. قیمت ماسفت بر اساس ویژگی‌های این ترانزیستور و میزان آن‌ها می‌تواند متغیر باشد.

نوع کانال (N کانال یا P کانال)
حداکثر تخلیه به منبع ولتاژ (Vdss)
مقاومت تخلیه به منبع (Rdson)
حداکثر جریان تخلیه DC
آستانه ولتاژ گیت (Vth)
شارژ دروازه (Qg)
بسته/کیس

خرید ماسفت smd از سایت فروش قطعات الکترونیکی

با توجه به کاربرد زیادی که ترانزیستورها در صنعت دارند، خرید تامین قطعات مورد نیاز دستگاه‌ها و پروژه‌ها، زیاد انجام می‌شود. برای برطرف کردن مشکلات احتمالی ناشی از تداخل عملکرد ویژگی‌های ترانزیستور، بهتر است فهرستی از اولویت‌ها تهیه کرده و از آن برای محدود کردن قسمت‌های مناسب، استفاده کنید؛ به عنوان مثال در یک پروژه ممکن است نیاز باشد ترانزیستور igbt خرید ؛ در حالی که در پروژه‌ای دیگر خرید ترانزیستور jfet نتیجه بهتری بدهد.

اگر برای خرید ماسفت نیاز به دریافت مشاوره دارید، می‌توانید از کارشناسان ما در دیجی قطعه مشاوره تخصصی دریافت کنید. در صورتی قطعه موردنظر خود را در فروشگاه پیدا نکردید، می‌توانید مشخصات محصول را در سفارش خود ثبت کنید؛ قطعات مورد نظر در اسرع وقت تامین شده و ارسال می‌گردد.

گوشی رو بردار!

کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن با شما تماس خواهند گرفت و آماده پاسخگویی به سوالات شما می‌باشند.

تلفن پشتیبانی: ۵۸۱۴۹۹۹۹ ۰۲۱