ترانزیستور ماسفت
ترانزیستور ماسفت SCT2H12NZ نوع N-Channel
N-Channel SiC Power MOSFET
مشخصات
- پارت نامبر SCT2H12NZ
- سازنده
Rohm Semiconductor
- تکنولوژیTechnology SiC
- نوع نصبMounting Type Through Hole
- کیس / پکیجCase/Package TO-3PFM-3
- تعداد کانال هاNumber of Channels 1 Channel
- Drain to Source Breakdown Voltage 1.7 kV
- جریان تخلیه مداوم (ID)Continuous Drain Current (ID) 3.7 A
- Drain Source On Resistance (RDS(on) 1.15 Ohms
- ولتاژ گیت به منبع (Vgs)Gate to Source Voltage (Vgs) - 6 V, + 22 V
- ولتاژ آستانه گیتGate Threshold Voltage 1.6 V
- شارژ گیت (Qg)Gate Charge (Qg) 14 nC
- حداقل دمای عملیاتیMin Operating Temperature - 55 C
- حداکثر دمای عملیاتیMax Operating Temperature + 175 C
- اتلاف توانPower Dissipation 35 W
- پکیجینگ (بسته بندی)Packaging Tube
- پیکربندیConfiguration Single
- زمان نزولFall Time 74 ns
- نوع محصولProduct Type MOSFET
- زمان برخاستنRise Time 21 ns
- سری هاSeries SCT2x
- نوع ترانزیستورTransistor Type 1 N-Channel
- تایپType N-Channel SiC Power MOSFET
- زمان تاخیر خاموش کردنTurn-Off Delay Time 35 ns
- زمان تاخیر روشن کردنTurn-On Delay Time 16 ns
- Unit Weight 11.405 g
قیمت براساس تعداد:
استعلام
استعلام قیمت و مدت زمان ارسال این محصول حداکثر یک روز کاری پس از ثبت سفارش ارائه خواهد شد.
توضیحات
MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
فروش ویژه
نظرات
محصولات مرتبط
ارائه فاکتور رسمی
پشتیبانی و مشاوره فنی
ضمانت اصالت و کیفیت
پرداخت امن بانکی
ارسال سریع به سراسر کشور