SCT2H12NZ
ترانزیستور ماسفت
ترانزیستور ماسفت SCT2H12NZ نوع N-Channel
N-Channel SiC Power MOSFET
مشخصات
- پارت نامبرSCT2H12NZ
- سازندهRohm Semiconductor
- تکنولوژیTechnologySiC
- نوع نصبMounting TypeThrough Hole
- کیس / پکیجCase/PackageTO-3PFM-3
- تعداد کانال هاNumber of Channels1 Channel
- Drain to Source Breakdown Voltage1.7 kV
- جریان تخلیه مداوم (ID)Continuous Drain Current (ID)3.7 A
- Drain Source On Resistance (RDS(on)1.15 Ohms
- ولتاژ گیت به منبع (Vgs)Gate to Source Voltage (Vgs)- 6 V, + 22 V
- ولتاژ آستانه گیتGate Threshold Voltage1.6 V
- شارژ گیت (Qg)Gate Charge (Qg)14 nC
- حداقل دمای عملیاتیMin Operating Temperature- 55 C
- حداکثر دمای عملیاتیMax Operating Temperature+ 175 C
- اتلاف توانPower Dissipation35 W
- پکیجینگ (بسته بندی)PackagingTube
- پیکربندیConfigurationSingle
- زمان نزولFall Time74 ns
- نوع محصولProduct TypeMOSFET
- زمان برخاستنRise Time21 ns
- سری هاSeriesSCT2x
- نوع ترانزیستورTransistor Type1 N-Channel
- تایپTypeN-Channel SiC Power MOSFET
- زمان تاخیر خاموش کردنTurn-Off Delay Time35 ns
- زمان تاخیر روشن کردنTurn-On Delay Time16 ns
- Unit Weight11.405 g
قیمت براساس تعداد:
نیاز به استعلام
توضیحات
MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
ثبت نظر
فروش ویژه
محصولات مرتبط
ارائه فاکتور رسمی
پشتیبانی و مشاوره فنی
ضمانت اصالت و کیفیت
پرداخت امن بانکی
ارسال سریع به سراسر کشور تلفن پشتیبانی: ۵۸۱۴۹۹۹۹ ۰۲۱
کارشناسان ما آماده پاسخگویی به شما هستند.
