رم و فلش
سلول تک سطحی (1 بیت/سلول) 4گیگابایت NAND Flash E-die
4Gb E-die NAND Flash ، Single-Level-Cell (1bit/cell)
مشخصات
- پارت نامبر K9F4G08U0E-SIB0
- سازنده Samsung Electro Mechanics
- منبع تأمین ولتاژVoltage Supply Source 3.3V : 2.7V ~ 3.6V
- آرایه سلولی حافظهMemory Cell Array (512M + 16M) x 8bit
- ثبت داده هاData Register (2K + 64) x 8bit
- برنامه صفحهPage Program (2K + 64)Byte
- پاک کردن بلاکBlock Erase (128K + 4K)Byte
- اندازه صفحهPage Size (2K + 64)Byte
- سرعت - خواندنSpeed - Read 40 us (Max)
- زمان دسترسیAccess Time 25ns(Min.)
- زمان برنامه صفحهPage Program Time 400 us
- Block Erase Time 4.5ms
قیمت براساس تعداد:
استعلام
استعلام قیمت و مدت زمان ارسال این محصول حداکثر یک روز کاری پس از ثبت سفارش ارائه خواهد شد.
توضیحات
null
فروش ویژه
نظرات
محصولات مرتبط
ارائه فاکتور رسمی
پشتیبانی و مشاوره فنی
ضمانت اصالت و کیفیت
پرداخت امن بانکی
ارسال سریع به سراسر کشور