K9F4G08U0E-SIB0
رم و فلش
سلول تک سطحی (1 بیت/سلول) 4گیگابایت NAND Flash E-die
4Gb E-die NAND Flash ، Single-Level-Cell (1bit/cell)
مشخصات
- پارت نامبرK9F4G08U0E-SIB0
- سازندهSamsung Electro Mechanics
- منبع تأمین ولتاژVoltage Supply Source3.3V : 2.7V ~ 3.6V
- آرایه سلولی حافظهMemory Cell Array(512M + 16M) x 8bit
- ثبت داده هاData Register(2K + 64) x 8bit
- برنامه صفحهPage Program(2K + 64)Byte
- پاک کردن بلاکBlock Erase(128K + 4K)Byte
- اندازه صفحهPage Size(2K + 64)Byte
- سرعت - خواندنSpeed - Read40 us (Max)
- زمان دسترسیAccess Time25ns(Min.)
- زمان برنامه صفحهPage Program Time400 us
- Block Erase Time4.5ms
قیمت براساس تعداد:
نیاز به استعلام
توضیحات
null
ثبت نظر
فروش ویژه
محصولات مرتبط
ارائه فاکتور رسمی
پشتیبانی و مشاوره فنی
ضمانت اصالت و کیفیت
پرداخت امن بانکی
ارسال سریع به سراسر کشور تلفن پشتیبانی: ۵۸۱۴۹۹۹۹ ۰۲۱
کارشناسان ما آماده پاسخگویی به شما هستند.
